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NTLJF3117P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1200
1000
V DS = 0 V V GS = 0 V
C iss
T J = 25 ° C
5
4
QT
20
16
800
3
V DS
V GS
12
600
400
C rss
2
Q GS
Q GD
8
200
0
C oss
1
0
I D = -2.2 A
T J = 25 ° C
4
0
5
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
5
6
V GS
V DS
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE-TO-SOURCE OR DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
V DD = -15 V
I D = -2.2 A
V GS = -4.5 V
100
t f
t r
Figure 8. Gate-To-Source and Drain-To-Source
Voltage versus Total Charge
3
V GS = 0 V
2.5
2
1.5
10
t d(off)
t d(on)
1
1
0.5
0
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
1
10
100
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9 1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
-V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
100
10
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
SINGLE PULSE
10 m s
100 m s
1 ms
1
0.1
*See Note 2 on Page 1
R DS(on) LIMIT
10 ms
THERMAL LIMIT
dc
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
-V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
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